1. NVMS10P02R2G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NVMS10P02R2G 

产品描述

MOSFET PFET SO8S 20V

内部编号

277-NVMS10P02R2G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:2466
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NVMS10P02R2G产品详细规格

规格书 NVMS10P02R2G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 10A
Rds(最大)@ ID,VGS -
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)

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